超音波スプレーマシン - 半導体ウェーハコーティングに適用されます

 

リソグラフィ：暴露および腐食防止コーティング

まとめ
半導体製造では、フォトリソグラフィー方法を通じてチップ上に構造が作成されます。主に抵抗層である光感受性フィルムは、チップの上部にコーティングされてパターンを形成し、その後基礎となる層に転送されます。

 

フォトリソグラフィには、次のプロセス手順が含まれています。

1.接着剤を追加し、表面の水分を取り除きます
2。腐食防止コーティング
3。耐食性層の安定化
4。露出
5。腐食阻害剤の開発
6。腐食阻害剤の硬化
7。検査

一部のプロセスでは、イオン移植として、抵抗はドープではない特定の領域をカバーするマスクとして使用されます。この場合、パターン化されたレジスト層は、基礎となる層に転送されません。

 

コーティング
チップのコーティングは、回転チャックのスピンコーティング方法によって達成されます。低回転では、抵抗が回転し、たとえば2000〜6000 rpmの速度で平らにされます。その後のプロセスによれば、抵抗層の厚さは最大2ミクロンに達することがあります。厚さは、抵抗の回転速度と粘度に依存します。

均一な層を取得するために、レジストには水とそれを柔らかくする溶媒が含まれています。安定性の理由から、ウェーハはその後約100度Cでアニールされ（ポスト/ソフトベイクド）、水と溶媒は部分的に蒸発し、その後の暴露のためにいくらかの水分を保持する必要があります。

 

 

ウェーハコーティング

ウェーハコーティングは、ウェーハレベルでのチップボンディング接着剤の自動適用を促進するユニークなプロセスであり、その後B段階が続いてチップボンディングフィルムを形成します。 Funsonicのスプレーコーティング技術は、プロセス速度、厚さ制御、および材料の均一性を実現できるウェーハコーティングに適しています。ホットまたはUVBステージとウェーハ切断の後、チップ接続は加熱と圧力を通じて達成され、一貫した粘着ラインと小さな制御された角を生成します。ウェーハの裏側にある接着剤コーティングは、コーナー制御が重要なチップ取り付けアプリケーションに理想的な選択肢です。

コーティングされた半導体ウェーハ、特にシリコンウェーハは、特にマイクロプロセッサやストレージチップなどの高密度統合電子コンポーネントの製造に半導体業界での使用に適しています。最新のマイクロエレクトロニクスの場合、グローバルおよびローカルの平面性、エッジジオメトリ、厚さ分布、片側（ナノトポロジーとして知られている）、および欠陥のない出発材料（いわゆる基質）の局所的な平面性を参照するための厳格な要件が必要です。

 

エピタキシャル反応器の半導体ウェーハにエピタキシャルコーティングを堆積するために、堆積ガスを反応器に通し、半導体ウェーハの表面にエピタキシャル材料を堆積させます。ただし、半導体ウェーハに堆積することに加えて、材料はエピタキシャル反応器内に堆積します。このため、通常、堆積中に制御されていない方法でエピタキシャル反応器の表面に蓄積した残基を定期的に除去する必要があります。

たとえば、仮想ウェーハはエピタキシャル反応器の台座に配置されていますが、一定数のコーティングされた半導体ウェーハの後の対応する繰り返し洗浄プロセス中に、初期エッチングガスがエピタキシャル反応器を通過し、シリコンの堆積に使用される堆積ガスが通過します。その後、エピタキシャル反応器を通過します。

塩化水素などのガスをエッチングすることにより、以前のコーティングプロセスからの残留材料を除去することができ、ガスを堆積させることで、エピタキシャル反応器の内部を密閉することができます。その後コーティングされた半導体ウェーハに到達することから。

ただし、半導体ウェーハのコーティングプロセス中に、個々の半導体ウェーハ間で幾何学的形状の変化が依然として発生します。特にコーティングのエッジエリアでは、重大な違いがあります。これは、コーティングされた半導体ウェーハの品質に有害です。たとえば、エッジ領域は利用できないか、品質の要件が低いアプリケーションでのみ利用可能である場合があります。

たとえば、エピタキシャル層の堆積に使用される堆積ガスのガス流量を設定することにより、半導体ウェーハのエッジ領域を制御された方法でコーティングしようとします。

したがって、エピタックスにコーティングされた半導体ウェーハの幾何学的形状の変化を回避または少なくとも減少させる可能性を提供することが期待されています。